全球贏家們,我是美股學長沈嘉誠。 2026.08.12(三)
先說三家機構的核心觀點
摩根大通:漲價到2028年,連續約20季
瑞銀:2027年三星超越SK海力士,HBM王座易主
摩根士丹利:估值邏輯正在從景氣循環股轉向高現金回報成長股
三家機構,三個不同的切入點,說的是同一個底層故事。
摩根大通怎麼看——漲價連續20季
摩根大通的報告最全面,也最有數字:
DRAM平均售價預估:
2026年:年增236%
2027年:再增29%
2028年:再增7%
對應市場規模:
2026年:6,341億美元
2027年:9,829億美元
2028年:1.31兆美元
這個漲價週期有多長:
DRAM自2024年Q1起進入同比上漲軌道
摩根大通預估此一漲勢延續至2028年底
等於連續約20個季度價格上揚
過去二十年典型記憶體景氣週期:
6至7季
這一次:約20季。是過去的三倍。
為什麼這次不一樣:
摩根大通列出了四個原因:
第一:AI伺服器正在取代PC和手機成為DRAM的核心需求來源
伺服器占全球DRAM需求比重:
2025年:39%
2026年預估:56%
2027年預估:67%
2028年預估:74%
PC和手機占比同步萎縮至約7%和13%
這意味著記憶體產業對傳統消費性電子景氣的依賴度,正在明顯降低
過去的景氣循環,主要由iPhone換機潮和PC升級週期驅動
這一次,驅動力是AI資料中心——一個結構性需求,不是周期性換機
第二:HBM生產排擠大量DRAM晶圓產能
生產等量記憶體位元的HBM,耗用的晶圓資源是傳統DRAM的3至4倍
這意味著:記憶體廠商把產能轉向HBM,傳統DRAM的供給就相對萎縮
兩個市場同時緊缺,不是只有HBM
第三:擴產速度追不上需求
新建晶圓廠從動工到產能全開:2至2.5年
EUV微影設備成本持續攀升
要在2028年讓DRAM供需達到平衡,還需要額外增加每月30萬片的晶圓產能
對應追加投資:約580億美元
摩根大通直言:「物理上極其困難。」
第四:長期採購協議鎖定訂單
雲端服務商和AI業者占長期採購協議逾**70%**的位元需求
伺服器用記憶體相對消費性電子,普遍存在30至40%的價格溢價
廠商已不再依賴現貨市場,而是靠長約鎖定高端客戶的高價訂單
摩根大通的獲利預估:
2026至2028年整體營業利益率將維持在**76%至78%**左右
這是記憶體產業從未出現過的持續高利潤率時代
HBM的數字——最重要的細節
HBM是這份報告裡最具爆炸性的部分:
HBM市場規模預估:
2025年:335億美元
2026年:643億美元
2027年:1,456億美元
2028年:2,521億美元
三年內,市場規模成長超過7倍。
HBM平均售價預估:
2027年:年增42%,每Gb約2.8美元
2028年:再增22%,每Gb約3.4美元
即使輝達Rubin Ultra降規,HBM缺口仍存在:
摩根大通計算:即使假設約70%的Rubin和Rubin Ultra產品都改用縮減規格的HBM,2026至2028年HBM供需缺口仍分別約為15%、14%及22%
等等——輝達Rubin Ultra降規不是壞消息嗎?
輝達Rubin Ultra降規——為什麼反而是利多
這個邏輯值得單獨說清楚,因為它和直覺相反:
TrendForce報告:
輝達Vera Rubin Ultra GPU,正測試多款HBM容量縮減的版本
Rubin Ultra的HBM4E堆疊層數,從原規劃的16層改為8層或12層
市場的直覺反應:
「輝達要少用記憶體了,是不是HBM需求要降溫?」
摩根大通和瑞銀的解讀:完全相反。
瑞銀分析師Arcuri說:
「若新設計最終定案,市場可能需要部署更多顆晶片,才能維持原有的運算及記憶體容量。」
單顆用量下降,但晶片數量可能增加——HBM總消耗量反而可能高於原先預期。
摩根大通說:
這些規格調整並非AI對記憶體的需求在縮小,而是客戶在供給有限的現實下所做出的因應
「向外擴展策略:透過部署更多顆晶片來補足整體運算與記憶體需求。」
這個邏輯的底層:
記憶體是稀缺的
客戶因為拿不到足夠的HBM而縮減單顆規格
縮減規格後,需要更多顆晶片才能達到同等算力
更多顆晶片,需要更多HBM——缺口沒有縮小,反而可能擴大。
瑞銀怎麼看——2027年三星超越SK海力士
瑞銀的報告聚焦在HBM市占率的結構性變化:
2026年HBM市占率(按位元出貨計):
SK海力士:48%,穩居第一
三星:21%
美光:21%
2027年瑞銀預估:
三星:41%
SK海力士:39%
三星微幅超越SK海力士,首度登頂。
三星超越的關鍵:HBM4良率突破80%
今年2月,三星HBM4啟動量產時良率:不足60%
本月初突破:80%(業界「黃金良率」門檻)
比原定年底目標提前:約四個月
三星的目標:
今年Q3 HBM4營收季增3倍以上
下半年HBM4占整體HBM營收超60%
年底HBM市占拉近至約38%——與DRAM市占看齊
SK海力士的反駁:
「只有具備穩定良率、品質及大規模供貨能力,才算擁有完整的HBM4競爭力。」
「目前SK海力士HBM4的量產良率與品質,正逐漸接近已成熟的上一代HBM3E。」
摩根大通對三星2027至2028年的預估:
三星HBM市占率升至37至38%,逐漸貼近其整體DRAM市占
三星、SK海力士與美光同步投入HBM5世代的散熱與封裝技術研發
真正的決戰:2027年HBM4E
瑞銀認為,三星與SK海力士的HBM競爭,最終可能在明年量產的HBM4E市場分出高下
三星:12層HBM4E樣品5月出貨,目標良率70%,明年上半年發布
SK海力士:HBM4良率已進入80%區間,量產品質優勢明顯
SK海力士勞資糾紛——超級週期裡的新變數
就在三星快速追趕的同時,SK海力士內部出現了一個市場尚未充分定價的風險:
事件背景:
SK海力士今年提出新薪酬方案:
希望把超過半數的利潤分享獎金改以公司股票支付,並設置閉鎖期
工會的立場:
去年才經歷11輪談判才敲定的「全數現金支付」協議
資方隔一年就要修改
工會說:「把股價下跌的損失風險轉嫁給員工。」
談判結果:第五輪仍未達成共識
後續發展:
8月5日,工會籌備小組成立
3天後參與人數突破:3,500人
相當於公司員工:約10%
為什麼這件事對HBM市場很重要:
SK海力士第三季正要大規模擴產HBM4
如果勞資爭議延燒至生產線
供貨節奏可能面臨壓力
而HBM目前已是全球AI供應鏈最緊俏的零件之一
分析師的評估:
「若勞資爭議遲遲無法解決,可能成為SK海力士HBM4擴產的一項變數。」
這個變數,疊加三星良率突破、美光穩步擴產:
HBM市場的格局,可能在接下來兩個季度出現明顯變化
摩根士丹利怎麼看——估值邏輯正在改變
摩根士丹利的報告從投資邏輯切入:
傳統記憶體股的估值方式:
景氣循環股
價格高→獲利高→股價漲
價格低→獲利低→股價跌
估值倍數始終偏低,因為市場預期景氣必然反轉
摩根士丹利說,這個邏輯正在改變:
原因一:長期採購協議讓獲利更可預測
過去記憶體廠商的獲利,高度依賴現貨價格波動
現在雲端和AI業者用長約鎖定供應,佔營收逾85%
獲利不再像過去那樣劇烈起伏
原因二:股東回報大幅提升
摩根士丹利預期三星和SK海力士未來將把約半數的累積自由現金流回饋股東
三星2026及2027年的現金殖利率:約8%
兩家公司未來兩年的累積現金殖利率合計:16至20%
SK海力士710億美元股東回饋方案是這個邏輯的具體體現:
710億美元相當於去年回饋規模的7倍
市場把這個數字解讀為:管理層對未來幾年獲利能見度有極高信心
摩根士丹利的結論:
記憶體股下一階段的評價催化劑
將從「漲價題材」逐步轉向「股東回報」
這是一個估值邏輯的結構性轉變,不是短期的題材輪換。
美光的角色——三家機構都點名
三份報告都對美光持正面看法,原因略有不同:
摩根大通:
美光受惠於DRAM和NAND的超級週期
HBM4和HBM4E供應商之一
長期採購協議為未來獲利提供能見度
瑞銀:
輝達Rubin Ultra降規→需要更多顆晶片→HBM總需求增加→美光受惠
HBM混合平均售價2027年年增42%
美光2029年EPS可維持160美元以上
累計自由現金流可能超過4,500億美元
美光商務長Sadana說:
「在客戶需求持續快速增加的情況下,記憶體供應吃緊的局面可能延續至2027年以後。」
「目前無法確定供應何時能追上需求。」
美光股價狀況:
今年以來漲幅:約172%
過去一個月回落:約11%
目前本益比(2026年預估):不到6倍
瑞穗目標價:1,375美元
這個週期和過去最大的不同
把整個故事拉高一層來看:
過去的記憶體超級週期特徵:
消費性電子換機潮驅動
景氣高峰→廠商大規模擴產→供給過剩→價格崩跌→週期結束
持續時間:6至7季
這一次的結構性差異:
需求來源:AI資料中心(結構性)vs 消費性電子(循環性)
長期採購協議:雲端業者鎖定多年供應
HBM的「晶圓懲罰」:生產HBM消耗的晶圓是傳統DRAM的3至4倍,限制供給快速增加的能力
擴產時間:2至2.5年,無法在短期內快速填補缺口
摩根大通的預測:
「即便採用較悲觀的情境估算,美光每股盈餘仍可能超過100美元,遠高於2018年上一輪記憶體景氣高峰時約12美元的水準。」
即使這一輪景氣開始放緩,幅度也可能比過去任何一次都溫和得多。
但有一個風險不能忽視:
長鑫存儲(CXMT)的中國產能
摩根大通預估:到2028年,中國DRAM廠商可能占全球產能約16%
但技術仍落後國際領先業者2至3年
高階HBM和伺服器DRAM短期內難以構成實質威脅
NAND的衝擊更大:長江存儲的晶圓效率已接近全球領先水準
相關工具說明
以下說明元大期貨提供的相關CFD商品規格,供投資人參考本文框架自行評估,所有方向性判斷由投資人依市況獨立決定。
MU(美光)美股CFD
三家機構同時看多美光。HBM 2027年漲價42%,DRAM超級週期延續至2028年。美光商務長說供應吃緊延續至2027年以後。目前本益比不到6倍,瑞穗目標價1,375美元。
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 合約規格 | 1手 = 1股 |
| 最小交易單位 | 1手 |
| 保證金比例 | 20% |
| 作業處理費 | 買賣各收0.1% |
以美光報870美元為例:
| 部位 | 市值 | 所需保證金 | 每漲跌1美元損益 | 單邊作業處理費 |
|---|---|---|---|---|
| 1手(1股) | 870美元 | 約174美元 | 1美元 | 約0.87美元 |
| 5手(5股) | 4,350美元 | 約870美元 | 5美元 | 約4.35美元 |
| 10手(10股) | 8,700美元 | 約1,740美元 | 10美元 | 約8.70美元 |
| 20手(20股) | 17,400美元 | 約3,480美元 | 20美元 | 約17.40美元 |
NVDA(輝達)美股CFD
Rubin Ultra降規→需要更多顆晶片→HBM總需求反增→對輝達自身並非壞消息,算力總需求不變,更多GPU出貨意味著更多營收。8月26日財報是下一個關鍵。
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 合約規格 | 1手 = 1股 |
| 最小交易單位 | 1手 |
| 保證金比例 | 25% |
| 作業處理費 | 買賣各收0.1% |
以輝達報217美元為例:
| 部位 | 市值 | 所需保證金 | 每漲跌1美元損益 | 單邊作業處理費 |
|---|---|---|---|---|
| 1手(1股) | 217美元 | 約54.25美元 | 1美元 | 約0.22美元 |
| 10手(10股) | 2,170美元 | 約542.5美元 | 10美元 | 約2.17美元 |
| 50手(50股) | 10,850美元 | 約2,712.5美元 | 50美元 | 約10.85美元 |
| 100手(100股) | 21,700美元 | 約5,425美元 | 100美元 | 約21.70美元 |
NAS100(那斯達克100指數CFD)
記憶體超級週期延續,支撐整個AI供應鏈的獲利能見度,是科技指數多頭格局的底層支柱之一。
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 合約規格 | 每點 = 1美元/手 |
| 最小交易單位 | 0.1手 |
| 保證金比例 | 5% |
| 作業處理費 | 買賣各收0.01% |
以那斯達克100報22,000點為例:
| 部位 | 市值 | 所需保證金 | 每漲跌1點損益 | 單邊作業處理費 |
|---|---|---|---|---|
| 0.1手 | 2,200美元 | 約110美元 | 0.1美元 | 約0.22美元 |
| 0.5手 | 11,000美元 | 約550美元 | 0.5美元 | 約1.10美元 |
| 1手 | 22,000美元 | 約1,100美元 | 1美元 | 約2.20美元 |
CFD操作前必須清楚:
雙向操作:可做多(預期漲)也可做空(預期跌),方向判斷由投資人自行決定
槓桿效果:獲利和虧損同等比例放大
隔夜庫存費:持倉過夜需支付成本,持倉越久成本越高
強制沖銷:保證金維持率低於50%時,系統自動強制平倉,正常盤勢下可執行,依市況而定
核心框架:
「這週,三家機構同時出報告。
摩根大通說:
DRAM漲價連續約20季,到2028年。
過去二十年,一個典型記憶體週期
只有6至7季。
這一次是三倍。
瑞銀說:
2027年,三星將以41%
微幅超越SK海力士的39%。
HBM王座,要易主。
摩根士丹利說:
記憶體股的估值邏輯
正在從景氣循環股
轉向高現金回報成長股。
三家機構說的是同一件事:
這一次不一樣。
為什麼不一樣?
因為需求來源變了。
過去是iPhone換機潮、PC升級周期。
這一次是AI資料中心——
結構性的需求,
不是周期性的換機。
還有一個反直覺的訊號:
輝達Rubin Ultra正在降規——
減少每顆晶片的HBM容量。
市場以為這是壞消息。
瑞銀說:恰恰相反。
單顆用量下降,
但需要更多顆晶片
才能維持同等算力。
HBM總需求,反而可能增加。
然後還有一個新變數:
SK海力士,
3,500名員工,
三天內加入工會籌備小組。
勞資糾紛,
疊加三星良率突破80%,
疊加HBM Q3正要大規模擴產——
接下來兩個季度的HBM市場
可能是整個AI週期
最值得緊盯的地方。」
管好你的水位。我是美股學長沈嘉誠,我們下次見。
免責聲明
本文為市場資訊整理與教育性內容,商品規格說明不構成任何方向性投資建議,投資人應依自身財務狀況與風險承受能力獨立判斷。正常盤勢下各項風控機制均可運作,依市況而定。元大期貨股份有限公司|槓桿交易商|114年金管期總字第007號
資料來源|摩根大通DRAM/NAND超級週期報告(2026/08/11);瑞銀Arcuri HBM分析報告(2026/08/10);摩根士丹利記憶體估值框架報告;SK海力士勞資糾紛韓媒報導;鉅亨網記憶體系列報導(2026/08/11至08/12);美光商務長Sadana KeyBanc論壇談話
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